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| 基本参数 | |
|
型号 |
HTC-612D |
| 尺寸（mm） |
L6300*D1450*H1560 |
|
重量 |
约：3000kg |
| 加热区数量 |
上6/下6 |
|
冷却区数量 |
上2/下2 |
| 冷却方式 |
强制冰冷却 |
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排气要求 |
10m3 /H*2 |
| 空洞率 |
约：1%-2% |
| 控制系统 | |
|
电源要求 |
3P 380V 50/60Hz |
| 总功率 |
60千瓦 |
|
分段启动功率 |
35千瓦 |
| 功率消耗 |
约：12KW-18KW |
|
热风机调速 |
变频器无级调速 |
| 加热时间 |
大约：30 分钟 |
|
控温范围 |
室温～400℃可设定 |
| 制作配方 |
可存储多种组合生产配方 |
| 运输 | |
|
轨道 |
单轨 |
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轨道结构 |
3段组合结构 |
| 治具尺寸(mm) |
长330*深250 |
|
运输高度(mm) |
900±20 |
| 输送方式 |
等距推板 |
| 真空系统 | |
|
最低真空压力 |
0.1Kpa |
| 真空泵流量 |
约：1000升/分钟 |
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泄压时间 |
≤10秒 |
| 生产效率 |
≥40秒 |
| 可选氮气系统 | |
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氮气 |
完全/部分充氮 |
|
氮气系统 |
自动的 |
| 氮消耗量 |
大约：300-500升/分钟 |
成为第一个“HTC-612D 半导体真空炉-2个冷却区” 的评价者
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