基本参数 | |
型号 |
HTC-612D |
尺寸(mm) |
L6300*D1450*H1560 |
重量 |
约:3000kg |
加热区数量 |
上6/下6 |
冷却区数量 |
上2/下2 |
冷却方式 |
强制冰冷却 |
排气要求 |
10m3 /H*2 |
空洞率 |
约:1%-2% |
控制系统 | |
电源要求 |
3P 380V 50/60Hz |
总功率 |
60千瓦 |
分段启动功率 |
35千瓦 |
功率消耗 |
约:12KW-18KW |
热风机调速 |
变频器无级调速 |
加热时间 |
大约:30 分钟 |
控温范围 |
室温~400℃可设定 |
制作配方 |
可存储多种组合生产配方 |
运输 | |
轨道 |
单轨 |
轨道结构 |
3段组合结构 |
治具尺寸(mm) |
长330*深250 |
运输高度(mm) |
900±20 |
输送方式 |
等距推板 |
真空系统 | |
最低真空压力 |
0.1Kpa |
真空泵流量 |
约:1000升/分钟 |
泄压时间 |
≤10秒 |
生产效率 |
≥40秒 |
可选氮气系统 | |
氮气 |
完全/部分充氮 |
氮气系统 |
自动的 |
氮消耗量 |
大约:300-500升/分钟 |
Be the first to review “HTC-612D 半导体真空炉-2个冷却区” 取消回复
相关产品
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
真空回流炉
Reviews
There are no reviews yet.